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mos管、igbt、三极管比较，mos开关速度最快，三极管最慢，而igbt内部是靠mos管先开通驱动三极管开通（这个原理决定了它的开关速度比mos慢，比三极管快，和几代技术无关）。mos管的最大劣势是随着耐压升高，内阻迅速增大（不是线性增大），所以高压下内阻很大，不能做大功率应用。随着技术发展，无论mos管还是igbt管，它们的各种参数仍在优化。目前igbt技术主要是欧美和日本垄断，国内最近2年也几个公司研究工艺，但目前都不算成熟，所以igbt基本都是进口。igbt的制造成本比mos高很多，主要是多了薄片背面离子注入，薄片低温退火（最好用激光退火），而这两个都需要专门针对薄片工艺的昂贵的机台（wafer一般厚度150um-300um之间）。
在低压下 igbt相对mos管在电性能和价格上都没有优势，所以基本上看不到低压igbt，并不是低压的造不出来，而是毫无性价比。在600v以上，igbt的优势才明显，电压越高，igbt越有优势，电压越低，mos管越有优势。导通压降，一般低压mos管使用都控制在0.5v以下（基本不会超过1v的）。比如ir4110，内阻4毫欧姆，给它100a的导通电流，导通压降是0.4v左右。
mos开关速度快，意味着开关损耗小（开关发热小），同样电流导通压降低，意味着导通损耗小（还是发热小）。
开关速度无论高压低压都是mos最快。 但高压下mos的导通压降很大，或者说mos管内阻随耐压升高迅速升高，比如600v 耐压的coolmos，导通电阻都是几百毫欧姆或几欧姆，这样它的耐流也很小（通过大电流就会烧掉），一般耐流几安或者几十安培。而igbt在高耐压压下，导通压降几乎没明显增大（原因还是主要导通电流是通过三极管），所以高压下igbt优势明显，既有高开关速度（尽管比mos管慢，但是开关比三极管快很多），又有三极管的大电流特性。
目前市场上新生代的EUV-X器件的IGBT饱和（导通）压降也能做到1.2V以下了。比先代IGBT的2.7~3.2V下降不少了， 几乎与VMOS 相差无几了。而IGBT的优点——开关速度高（纳秒级），通态压降低，开关损耗小（功率损耗是第一代的五分之一），耐脉冲电流冲击力强，且耐压高，驱动功率小等优点更加突出。已集双极型晶体管（GTR）和单极型MOSFET优点于一身。 未来的低成本，低压型（耐压200~300v）的IGBT电动车驱动模块，排除价格因素，普遍应用IGBT模块也应是迟早的事。
在需要耐压超过150V的使用条件下，MOS管已经没有任何优势！以典型的IRFS4115为例：VDS-150V，ID-105A（Tj=25摄氏度，这个唬人指标其实毫无实际使用价值），RDS-11.8 m 欧姆;与之相对应的 即使是第四代的IGBT型SKW30N60对比；都以150V，20A的电流，连续工况下运行，前者开关损耗6mJ/pulse，而后者只有1.15mJ/pulse，不到五分之一的开关损耗！就这点，能为用户省去多少烦恼？要是都用极限工作条件，二者功率负荷相差更悬殊！其实，很多时候，我们的影像中，还停留在多年前的IGBT的概念中。。。更不必比较现在的六，七代及以后的IGBT技术指标了！正因为如此，有大功率需求的诸如冶金，钢铁，高速铁路，船舶等领域已广泛应用IGBT 元器件，很少采用MOSFET来作为功率元器件。
为了理解dV/dt感生开通现象，我们必须考虑跟IGBT结构有关的电容。图1显示了三个主要的IGBT寄生电容。集电极到发射极电容C，集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容CGE。
图1 IGBT器件的寄生电容
这些电容对桥式变换器设计是非常重要的，大部份的IGBT数据表中都给出这些参数：
输出电容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）
输入电容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）
反向传输电容，CRES＝CGC
图2 半桥电路
图2给出了用于多数变换器设计中的典型半桥电路。集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容C组成了动态分压器。当高端IGBT（Q2）开通时，低端IGBT（Q1）的发射极上的dV/dt会在其栅极上产生正电压脉冲。对于任何IGBT，脉冲的幅值与栅驱动电路阻抗和dV/dt的实际数值有直接关系。IGBT本身的设计对减小C和C的比例非常重要，它可因此减小dV/dt感生电压幅值。
如果dV/dt感生电压峰值超过IGBT的阀值，Q1产生集电极电流并产生很大的损耗，因为此时集电极到发射极的电压很高。
为了减小dV/dt感生电流和防止器件开通，可采取以下措施：
关断时采用栅极负偏置，可防止电压峰值超过V，但问题是驱动电路会更复杂。
减小IGBT的CGC寄生电容和多晶硅电阻Rg’。
图3给出了为反向偏置关断而设计的典型IGBT电容曲线。CRES曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到V接近15V，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”（plateau） 特性，C的实际值就可以进一步减小。
这种现象是由IGBT内部的本征JFET引起的。如果JFET的影响可以最小化，C和C可随着VCE的提高而很快下降。这可能减小实际的CRES，即减小dV/dt感生开通对IGBT的影响。
